Набиране на средства 15 септември 2024 – 1 октомври 2024
Относно набирането на средства
търсене на книга
книги
Набиране на средства:
55.2% събрани
Впиши се
Впиши се
оторизираните потребители имат достъп до:
лични препоръки
Телеграм бот
хронология на изтеглянията
изпрати до Email или Kindle
управление на колекцията
запазване в любими
Лично
Заявки за книги
Изучаване
Z-Recommend
Списъци с книги
Най-популярни
Категории
Участие
Направете дарение
Качвания
Litera Library
Дарете хартиени книги
Добавяне на хартиени книги
Search paper books
Моят LITERA Point
Търсене на термини
Main
Търсене на термини
search
1
MOSFET modeling for circuit analysis and design
World Scientific
Marcio C. Schneider
current
inversion
mosfet
voltage
drain
gate
transistor
circuit
modeling
models
noise
φt
analysis
electron
density
montoro
galup
schneider
surface
saturation
transistors
bulk
devices
semiconductor
φs
equation
effects
effect
oxide
cox
capacitance
device
ncox
threshold
charges
compact
qis
frequency
circuits
normalized
mobility
mismatch
depletion
approximation
thermal
shown
signal
substrate
cmos
terminal
Година:
2007
Език:
english
Файл:
PDF, 6.55 MB
Вашите тагове:
0
/
0
english, 2007
2
晶峰器件应用 12
上海元件五厂
上海元件五厂编
oee
cmos
ips
sow
avr
mosh
gbw
bie
eea
ems
moss
rrs
bree
eeo
eoe
rrr
sra
vri
bes
emr
fea
fehr
fev
hbs
heh
hue
mme
mosse
oer
ohh
ooo
ren
rha
rma
rra
shh
4vos
bbe
loa
lse
lto
mla
mle
moshe
mre
mrr
ncox
Година:
1984
Език:
chinese
Файл:
PDF, 41.11 MB
Вашите тагове:
0
/
0
chinese, 1984
1
Следвайте
тази връзка
или потърсете бот „@BotFather“ в Telegram
2
Изпратете команда /newbot
3
Въведете име за вашия бот
4
Въведете потребителско име за бота
5
Копирайте последното съобщение от BotFather и го поставете тук
×
×